简介:摘要目前,通信运营商抢占通信市场日益激烈,而传输资源是制约网络发展的关键因素,如今各个城市乡村发展迅速,建设施工过程中极大影响到传输网的运行安全,如何快速发展传输管线资源以及保证传输管线资源的安全性,在发现管线隐患时快速稳健的完成隐患的整治并保证施工的质量,成了4G以及5G时代的传输维护的思考方向。本文先阐述了我国目前运营商的传输网络隐患整治的情况,同时介绍了工程监理在施工中发挥的作用与不足,针对发挥的作用引入传输管线隐患整治中,针对不足提出了改进措施,从而更好地快速有质量的完成日常传输管线隐患整治,为将来5G网络时代传输网维护提供重要依据。
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。