简介：

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简介：本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分：1、回顾；2、技术关键；3、展望。

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简介：本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明：随着CH4流量的增加，金刚石的成核密度增加，并出现二次形核，金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为：生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层，金刚石在非晶碳层上成核长大，并伴随着二次成核，最终形成多晶金刚石膜。

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简介：本文详细地讨论了金刚石行业关心的金刚石单晶生产的产量问题。

简介：本文论述了采用温度梯度法在人造金刚石生长中的添加N、B杂质元素对生长温度的影响。

简介：宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本，在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。

简介：本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法，在Si（100）基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜，第二步是利用H2SO4：CrO3的饱和溶液对样品进行处理，再用H2O2：NH4OH（1：1）溶液冲洗干净，处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明，薄膜厚度达60μm，纯度很高，并且在整个面积上是均匀的。

简介：本文研究了在高温高压条件下，用FeNi合金做催化剂生长金刚石单晶时金属膜的显微形貌。

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简介：合成参数的判断一直是各人造金刚石生产企业培训合成工中一项重要的培训内容。本文总结了间接加热在合成中出现的温度、压力高低的各种现象，以图文并茂的形式让读者对如何快速判断合成参数一目了然。

简介：就粉末触媒、片状触媒的合成效果进行了对比，并分析了粉末触媒合成金刚石的市场前景。

简介：本文通过对不同腔体粉末工艺暂停时间和加热曲线的试验，得出了粉末工艺条件下暂停时间和加热曲线的选择规律，并针对金刚石生产中常见的“过烧”现象进行了原因分析，提出了针对性的解决方法。

简介：文中叙述氯化钠NaCl粉压叶蜡石合成金刚石的效果。讨论了NaCl组合粉压叶蜡石对合成金刚石效果的影响及其在合成过程中的特性与显著的作用。