简介：本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法，在Si（100）基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜，第二步是利用H2SO4：CrO3的饱和溶液对样品进行处理，再用H2O2：NH4OH（1：1）溶液冲洗干净，处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明，薄膜厚度达60μm，纯度很高，并且在整个面积上是均匀的。

简介：本文通过对一套模具利用电火花机床进行加工的过程中所遇到的一些问题的分析以及解决方法的讨论，提出了一些电火花大面积加工中影响加工的因素和消除这些因素对加工的影响的方案。

简介：CVD金刚石可以用各种方法合成，其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜，并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是，热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。本研究试图通过控制沉积压力、输入功率等沉积参数扩大等离子体直径，以沉积出大面积金刚石薄膜。我们的目的是利用热等离子体CVD工艺沉积出生长速度高、面积大且膜厚均匀的金刚石薄膜。同时探讨了合成条件对金刚石薄膜形状的影响。本研究得出的结果如下：(1)随着沉积压力的降低，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。金刚石的结晶性则几乎不受沉积压力的影响。(2)随着等离子体电流的增加，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。增加等离子体电流也可改善金刚石的结晶性。(3)降低沉积压力和增加等离子体电流均可扩大等离子体射流，但是金刚石沉积面积的变化并不明显。(4)随着沉积压力的降低和等离子体电流的增加，金刚石的结晶性均会增加。降低沉积压力和增加等离子体电流有利于改善金刚石薄膜的均匀性。

简介：本文详细介绍人工智能的研究现状及发展动态，模糊逻辑与神经网络的结合，遗传算法与神经网络的结合，遗传算法模糊逻辑的结合，智能制造技术发展前景广阔，但还须作进一步的深入研究。

简介：近日，霍金警告称，人工智能的快速发展可能将导致人类灭亡。腾讯科学讯据国外媒体报道，我们渴望研制机器人助手和自驾驶车辆，虽然人工智能初期阶段已证明非常有用，并给人们生活带来变化，但是伴随着科学技术的快速发展，未来出现媲美人类、甚至超越人类的机器人将后果不堪设想。目前，

简介：近期，由中国矿业大学(北京校区)承担的国产大型六面顶超高压设备人工合成高品质金刚石理论与实践项目通过了教育部科技发展中心组织的鉴定。该项目主要研究成果如下：一、提出了临界体积的概念，发现了叶蜡石在高压密封区的流动规律，提出可通过加强叶蜡石对顶锤的侧向支撑，将顶锤的材质问题变成高压技术问题的技术解决方案，提出了六面顶超高压技术原理。