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  • 简介:制备分析样品的方法:将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离;分析杂质的方法:将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离;再对分离的物质进行分析;制备高纯磷酸的方法:从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离;制备半导体元件的方法:用磷酸作处理液,该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb,Bi和Po的浓度确定),不大于10^-3Bq/ml(Bq,贝克勒尔,放射性单位)。

  • 标签: 半导体 磷酸 制备方法 定量分析法 PH值
  • 简介:本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件,其制造方法是先生长n型单晶,此单晶含有1.0×10^16个原子/c.c,用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装,生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S,P型CaP可掺杂O或Zn。

  • 标签: 磷化镓 半导体 制造方法 查理斯基封装法