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  • 简介:在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4~10GHz,增益约25dB,噪声温度低于100K,输入输出回波损耗大于10dB。

  • 标签: 宽带 单片集成 低噪声放大器 pHEMT晶体管
  • 简介:3MHz区分放大器有天文,VLBI接收机,国防科研中有广泛的应用,研制成功的5MHz区分放大器在相位噪声和隔离度上分达到了频期效果,相位噪声的插入损耗小于3dB,隔离度大于60dB,并且保持了氢频标信号的稳定度,还可用于长线传输,因此比较好的满足了时频系统,特别是主稳定本振系统的使用要求,而且有着良好的应用前景。

  • 标签: 放大器 低噪声技术 频率标准 VLBI接收机 相位噪声 射电天文
  • 简介:噪声放大器LNA(LowNoiseAmplifier)是射电天文接收机的重要组成部分,其等效噪声温度决定了接收机的灵敏度。该文介绍了一种宽带Ku波段低噪声放大器的设计原理和方法,并给出了仿真结果。该放大器采用NEC公司的NE3210S01高电子迁移率场效应晶体管HEMT(HighE-lectronMobilityfield-effectTransistor)三级级联结构。在11~13GHz范围内的增益大于29.7dB,等效噪声温度小于55K,输入输出匹配好于-25dB。

  • 标签: 低噪声放大器 等效噪声温度 阻抗匹配 稳定性
  • 简介:基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150nm和100nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphichighelectronmobilitytransistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20GHz,增益约为23~28dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10dB。

  • 标签: 宽带 微波 单片集成 低噪声放大器 pHMET晶体管