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  • 简介:最近由于降低了导通和开关损耗,PTIGBT性能已在200~300V额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300VIGBT和300V功率MOS所有性能。IGBT电导调制使导通电压大幅度减少,总开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命,这些PTIGBT适于高频电源应用。硬开关电路测试表明,300VIGBT比功率MOS成本低,性能更好。

  • 标签: PT IGBT 功率MOS 电力半导体器件 导通电阻 金属氧化物半导体场效应晶体管