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  • 简介:采用台积电(TSMC)0.1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证;改进了器件的噪声模型,给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在遵守模拟电路设计的八边形法则的基础上,对参数进行折衷考虑(trade—o国和整体优化处理。仿真结果表明,此运算放大器的各项主要参数均满足预期要求,性能优异。

  • 标签: 低噪声放大器 共源共栅 密勒效应 补偿电容