简介：摘要：相较于国内已经发展较为成熟的光伏级多晶硅而言，半导体级多晶硅在纯度上达到11N(99.999999999%)-12N(99.9999999999%），因为下游集成电路行业制程的特殊需求，对于多晶硅原料中的施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度、氧浓度、基体和表面金属杂质浓度等关键指标要求严格，同时对产品的稳定性也提出了非常苛刻的要求，这主要体现在集成电路行业对每一种原材料长达一到三年的验证周期，这使得半导体级多晶硅从设计理念、装置建设、生产质量管理体系都体现出与其他行业截然不同的严谨的集成电路行业逻辑，能够与光伏级多晶硅明显区分。
国内外半导体级多晶硅生产技术差距分析
