简介:<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃~+150℃。
简介:<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模
简介:<正>皇家飞利浦电子公司日前推出业内首个大功率、全数字D类放大器解决方案半导体参考设计。飞利浦整合了脉宽调制(PWM)技术,为用户带来高性能、即插即用的基于TDA8939TH的参考设计,单一封装可提供高达140W的RMS输出。飞利浦TDA8939TH提供全数码放大器解决方案,具有高功率下的耐用性能和适合轻便型应用的小体积造型。另外,该参考设计整合的PWM控制器避免了附加声音处理芯片的需要。这使飞利浦能向客户提供一套完整的放大模块以帮助他们开发高级音频解决方案,并在缩短产品上市时间的同时提高性能。除了全数字、大功率解决方案之外,飞利浦的TDA8939TH放大器芯片还提供绝佳的定时精度和电磁兼容性。