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美国DARPA加快GaN IC计划

作者：孙再吉
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2005-04-14
出处：《半导体信息》 2005年第4期

简介：<正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman
标签： DARPA GAN IC Northrop 获益者微波集成电路

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日立开发80Gbit光通信IC

作者：孙再吉
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2004-01-11
出处：《半导体信息》 2004年第1期

简介：<正>据《OplusE》(日)2003年第9期报道,日立制作所正着手开发使用SiGe衬底的80Gbit光通信IC。高速光通信IC通常使用价格昂贵的GaAs衬底等化合物半导体材料。日立制作所采用分割多重技术,并使用SiGe衬底材料,使低价格优质产品投放市场。随着高速化光通信网的快速发展,80Gbit光通信IC的需求不断增加,开发SiGe衬底80GbitIC是对GaAsIC的一次挑战。
标签：日立制作所光通信网 Gbit IC SIGE 产品投放市场

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