简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。
简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。
简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万
三菱SiC二极管逆变器:功率损耗减少18%
富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地
三菱电机将把在华功率半导体模块后工序产能扩大至2倍
