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封装特性影响MOSFET损耗

作者：刘鹿生
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2003-02-12
出处：《电力电子》 2003年第2期

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发
标签：封装特性影响损耗特性影响

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