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TCR型SVC中BOD在晶闸管过电压保护的应用

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摘要本文介绍了一种新型半导体器件BOD的物理结构及特性，论述了BOD在晶闸管过电压保护应用中的典型电路设计及参数选择，最后通过TCR工程具体实例，给出实验结果。

DOI rdxglp1y4l/905125

作者邢金伟;王瑞舰;王国强

机构地区不详

出处《变频器世界》 2010年8期

关键词 BOD TCR 晶闸管过电压保护

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2010年08月18日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

变频器世界

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