英特尔美光量产34nm NAND闪存

英特尔和美光日前开始量产双方联合开发的34nm32GMLCNANDFlash。双方的合资公司IMFlash表示,明年将开始试产34nm低密度MLC（multi-levelcell）和SLC（Single-levelcell）产品。该公司称34nmNANDflash量产提前开始,今年年底预计Lehi工厂将有50%的产能转向34nm。

• 出处: 《中国集成电路》 2008年12期
• 关键词: NAND闪存 英特尔 FLASH 光量 FLASH 合资公司
• 分类: [电子电信][微电子学与固体电子学]