摘要
摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果，表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC，可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小， NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大，器件整流比较小，势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此，要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中，还需要进一步提高外延 Ge质量。
出版日期
2020年08月03日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
