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光掩模缺陷及修补方法探讨研究

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摘要摘要当集成电路工艺发展到65纳米技术节点时，随着图形特征尺寸越来越小，图形越来越密集，势必造成缺陷很难修补。本文介绍了掩模在制作过程中缺陷形成的原因，对掩模缺陷进行分类，阐述了光掩模缺陷修补的重要性和掩模修补原理及方法。比较详细的介绍了激光气化法、局部曝光法、离子束修补。对光掩模缺陷修补方法做了探讨研究。

DOI 2d32m098j9/4145591

作者杨长华

机构地区（无锡中微掩模电子有限公司江苏无锡214135）

出处《电力设备》 2018年32期

关键词光掩模缺陷修补离子束修补

分类 [电气工程][电力系统及自动化]

出版日期 2018年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电力设备

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