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浅析单电子晶体管工作原理与仿真分析

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摘要采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。

DOI 7j6zeqn740/2711190

作者林勇

机构地区不详

出处《科海故事博览·科教创新》 2009年2期

关键词单电子晶体管，原理，仿真分析

分类 [自然科学总论][系统科学]

出版日期 2009年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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单电子晶体管，原理，仿真分析

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