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三星第二代1Onm工艺开发完成

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摘要三星近日宣布，第二代10nmFinFET工艺已经开发完成，未来争取10nm产品代工订单将如虎添翼。三星第一代10nm工艺于去年10月领先同行导入量产，目前的三星Exynos9与高通骁龙835处理器均是以第一代10nm工艺生产。

DOI pj0kkpw84y/1736251

作者

机构地区不详

出处《中国集成电路》 2017年5期

关键词工艺开发第二代三星第一代处理器高通

分类 [电子电信][微电子学与固体电子学]

出版日期 2017年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国集成电路

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