摘要
22015年5月18日,VishayIntertcchnology,lnc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleResistorsElectro-FilmsBRCP可处理高功率,工作电压高达100V,有120milx35mil(外形A)和240mil×35mil(外形B)两种小外形尺寸,能够在不牺牲性能的情况下,实现更小的产品设计。
出版日期
2015年05月15日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)