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Si（001）衬底自组织生长Ge量子点的组分和应变

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摘要利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

DOI 5jo69mrnjv/1407160

作者蒋最敏;姜晓明;等

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 2000年1期

关键词 Si(001)衬底自组织生长 Ge 量子点组分应变

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 2000年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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