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基底温度对α-C：H膜微观结构的影响

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摘要使用RF-PECVD法分别在基底温度为60℃、120℃和200℃的N型单晶锗表面制备了α-C：H膜,采用拉曼光谱、傅里叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜等技术手段研究分析了α-C：H膜的价键组成及表面形貌,讨论了基底温度对α-C：H膜微结构及部分性能的影响。结果表明,在α-C：H膜沉积过程中,基底温度对膜层微观结构有较大影响,基底温度60℃时,膜层表面光滑、致密无石墨化现象。随着基底温度的升高,α-C：H膜中含H量和微晶石墨量逐渐增多,α-C：H膜层性能也逐步退化。

DOI lde1mv55j3/1263017

作者李钱陶;熊长新;杨长城

机构地区不详

出处《光学与光电技术》 2013年4期

关键词类金刚石膜基底温度微结构射频增强等离子体化学气相沉积原子力显微镜

分类 [机械工程][光学工程]

出版日期 2013年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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光学与光电技术

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